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在第三代半导体加快渗入的波涛中，闻泰科技（维权）半导体业务坚执研发改换，推出行业跨越的SiC Trench MOS，不仅彰显了期间破损的实力，更成为企业价值增长、推动产业升级的关节锚点。

界说业界标杆

公司SiC Trench MOS行业跨越

碳化硅（SiC）四肢第三代半导体中枢材料，在电力电子器件范围的价值日益突显。其中，SiC Trench MOS因多重上风，被视为下一代功率器件的繁难看法，但受限于制造工艺，永恒以来产业化程度冉冉。

闻泰科技半导体业务以改换为驱动，推出SiC沟槽结构MOSFET（Trench MOS），其工艺在资本和性能上已处于行业跨越水平。

什么是沟槽结构MOSFET？相较于传统平面结构，沟槽结构通过将栅极埋入基体酿成垂直沟谈，寄生电容更小，开关速率更快，开关损耗显贵裁减；同期，通过优化沟谈联想，可结束更高沟谈迁徙率，进一步裁减导通电阻，在充电桩、光伏逆变器、电动汽车等场景中，展现出隆起的欺诈价值。

产能前瞻布局

筑牢期间落地的根基

期间破损的同期，公司在产能端开展前瞻布局。公司半导体业务位于德国汉堡晶圆厂的第三代半导体产线将在第四季度完成SiC和GaN中试产线修复；同期，控股股东先行代建的临港晶圆厂正导入新一代IGBT及BCD工艺。这些产线的落地，将为公司新家具的工艺与资本改善提供撑执，同期助力公司在GaN、SiC、IGBT等范围酿成期间与产能的联动上风，推动“期间改换—范围效应”的良性轮回。尽管新家具在公司业务中占比尚小，但跟着研发的有序激动，有望为翌日发展注入新能源。

现在，公司半导体业务自有工场满产开动，临港晶圆厂品级三方代工场订单糜掷，三季度订单执续向好，为全年增长打下了坚实基础。

事迹端庄增长

彰显阛阓高度认同

研发与产能上的执续深耕，正在调养为实委果在的事迹增长。

2025年以来，闻大半导体业务景气度执续回升：一季度收入同比增长超8%，策画性净利润同比增长超65%；二季度无间增长态势，收入、净利润同等到环比均结束两位数增长，且净利润增速高于收入增速，反馈出公司在出货量普及与资本管控上的双重奏效。

跟随专家对高效果半导体器件的需求增长，功率半导体有望在新能源汽车、AI数据中心、机器东谈主等范围拓展更大空间。跟着阛阓趋势对半导体的依赖性增强，展望半导体业务翌日几年的增长趋势是积极的。

SiC Trench MOS的推出，是闻泰科技在第三代半导体范围的繁难破损。闻泰科技正以其为支点，执续深耕SiC、GaN、IGBT等前沿范围，通过构建跨越的制造才智开云(中国)Kaiyun·官方网站 - 登录入口，在期间改换与产业落地中不断创造价值，为半导体行业的发展注入执续能源。

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